引领高效能新纪元：倾佳力推基本半导体 SiC MOSFET 模块，赋能尖端工业应用
在电力电子技术飞速发展的今天，对高效、高功率密度、高可靠性电源解决方案的需求日益迫切。基本半导体（BASiC Semiconductor）深耕第三代半导体领域，隆重推出新一代1200V SiC MOSFET模块系列，包含BMF60R12RB3、BMF80R12RA3、BMF120R12RB3和BMF160R12RA3。这些模块凭借卓越的性能，成为逆变焊机、感应加热、电镀电源、高频直流电源以及储能变流器和DC/DC等尖端应用的理想选择。
倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半导体器件以及新能源汽车连接器。
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核心技术优势：为严苛应用而生
此系列SiC MOSFET模块采用先进的半桥封装（34mm），专为高频、高效应用而设计。它们的核心优势包括：
极低的导通电阻（RDS(on)）: 显著降低模块在导通状态下的功耗，提升系统整体效率。例如，BMF60R12RB3的典型导通电阻为21.2mΩ ，而BMF160R12RA3更是低至7.5mΩ 。
低开关损耗与低电感设计: 模块具备优异的开关特性，通过低电感封装设计，有效抑制开关瞬态过压，降低开关损耗 。
高电流密度: 模块芯片采用高电流密度设计，确保在紧凑的封装内实现更高的功率输出 。
铜基板: 采用铜基板设计，提供卓越的散热性能，保证模块在高温环境下依然稳定可靠 。
模块型号概览与应用亮点
该系列产品覆盖不同电流等级，为工程师提供灵活的选型空间，以匹配不同功率等级的应用需求：
BMF60R12RB3 (1200V, 60A)：
凭借其低导通电阻（典型值21.2mΩ）和低开关损耗，是逆变焊机和高频DC/DC转换器的理想选择 。其优异的散热设计确保在持续大电流工作下仍能稳定运行。
BMF80R12RA3 (1200V, 80A)：
该模块具备更高的额定电流能力，典型导通电阻为15mΩ 。适用于需要更高功率输出的感应加热和储能DC/DC应用，能有效提高系统功率密度和效率。
BMF120R12RB3 (1200V, 120A)：
在75°C外壳温度下，额定电流高达120A，典型导通电阻为10.6mΩ 。其出色的性能使其特别适合大功率的电镀电源和储能变流器，能显著减少系统体积和重量。
BMF160R12RA3 (1200V, 160A)：
作为该系列中的旗舰产品，BMF160R12RA3在75°C外壳温度下可承载160A的连续电流，典型导通电阻仅为7.5mΩ 。这使其成为最高功率等级应用的首选，如大型逆变焊机、高频直流电源以及高功率密度的储能变流器。
结语
基本半导体1200V SiC MOSFET模块系列，通过将SiC材料的固有优势与优化的封装设计相结合，有效解决了传统半导体在高频、大功率应用中的瓶颈。无论是需要高效、紧凑的逆变焊机，还是追求稳定、可靠的储能系统，该系列模块都能提供卓越的解决方案，助力您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。
深圳市倾佳电子有限公司（简称“倾佳电子”）是聚焦新能源与电力电子变革的核心推动者：
倾佳电子成立于2018年，总部位于深圳福田区，定位于功率半导体与新能源汽车连接器的专业分销商，业务聚焦三大方向：
新能源：覆盖光伏、储能、充电基础设施；
交通电动化：服务新能源汽车三电系统（电控、电池、电机）及高压平台升级；
数字化转型：支持AI算力电源、数据中心等新型电力电子应用。
公司以“推动国产SiC替代进口、加速能源低碳转型”为使命，响应国家“双碳”政策（碳达峰、碳中和），致力于降低电力电子系统能耗。
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审核编辑 黄宇
