在电子材料领域，铜基合金因高导电性和低成本备受关注，但其易氧化特性限制了应用。CuNiC三元合金通过引入镍和碳，在提升抗氧化性的同时保持良好导电性，为高温、高稳定性的电子器件提供了新材料选项。
本研究采用碳热还原法制备不同配比的CuNiC合金，结合Xfilm埃利的四探针电阻测试技术，系统研究其导电性能与微观结构的关系，以拓展其在功能性电子材料中的应用。
Xfilm埃利四探针方阻仪
本实验采用四探针电阻测试仪对CuNiC合金薄片进行电阻率测定，该方法具有测量速度快、精度高、适用范围广等优点。其工作原理是在样品表面布置四个探针，外侧两探针通入恒定电流，内侧两探针测量产生的电压差，根据欧姆定律计算得到电阻值，进而换算为电阻率。该方法避免了接触电阻的影响，尤其适用于薄膜、涂层等低维材料的电学性能表征。
CuNiC合金制备与导电性能测试
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本研究采用碳热还原法，以硝酸铜、硝酸镍和蔗糖为原料，在氮气气氛中经高温反应合成CuNiC三元合金粉末。通过压片工艺制备成均匀薄片，并利用四探针电阻仪进行系统测试。实验选取不同Cu、Ni、C摩尔比的合金样品，每组数据取三次平行实验的平均值，以确保结果的可靠性。
不同碳源和不同金属源的CuNiC 合金摩尔比的电阻率
测试结果显示，合金的导电性能与其成分比例密切相关。当CuC为10.35时，电阻率最低，仅为62 μΩ·cm。随着碳含量增加，电阻率明显上升；在金属比例中，铜镍比为1:1时合金结晶度更高，形成块状多孔结构，有利于电子传输。而当铜比例过高时，虽然电阻率略有下降，但合金中单质铜比例增加，可能削弱其抗氧化稳定性。
CuNiC合金的导电-抗氧化协同性能分析
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不同铜镍摩尔比的CuNiC 合金宏观形貌和高碳量的三元合金XPS全谱
与单一CuC合金相比，CuNiC合金的导电性虽略有降低，但其抗氧化性能显著提升，在高温环境下仍能维持结构稳定。与商用的CuNi粉制备的薄片相比，CuNiC三元合金薄片的电阻率有所下降，仅为CuNi薄片的0.32倍，表现出更优的综合性能。这表明通过碳与镍的协同掺杂，不仅能有效抑制铜的氧化，还可通过调控微观形貌与相组成，在较高导电水平上实现抗氧化功能的增强。
结构对导电性能的影响机制
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合金的块状多孔结构是影响其导电行为的关键因素。该结构提供了更多导电通道与界面接触，有利于电子迁移；同时，多孔特征可缓解烧结过程中的应力集中，提升薄膜的力学稳定性。这种结构优势使CuNiC合金在相同工艺条件下，比球形铜粉具有更好的抗冲击性和附着力，拓展了其在柔性电子器件中的应用潜力。
本研究通过四探针电阻测试技术系统评价了CuNiC三元合金的导电性能，证实其在优化配比下可实现低电阻率（62 μΩ·cm）与高抗氧化性的良好平衡。该合金不仅电阻率低于商用CuNi材料，还表现出优异的结构稳定性和机械性能，适用于高温、高湿及柔性环境下的电子封装、印刷电路与传感器等领域。CuNiC合金的成功开发，为铜基导电材料的功能化与工程化提供了新的材料选择与技术路径。
Xfilm埃利四探针方阻仪
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Xfilm埃利四探针方阻仪用于测量薄层电阻（方阻）或电阻率，可以对最大230mm 样品进行快速、自动的扫描， 获得样品不同位置的方阻/电阻率分布信息。
- 超高测量范围，测量1mΩ~100MΩ
- 高精密测量，动态重复性可达0.2%
- 全自动多点扫描，多种预设方案亦可自定义调节
- 快速材料表征，可自动执行校正因子计算
基于四探针法的Xfilm埃利四探针方阻仪，凭借智能化与高精度的电阻测量优势，可助力评估电阻，推动多领域的材料检测技术升级。
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原文参考：《高导电抗氧化铜合金的制备及其在导电浆料中的应用》
